2023年3月，西安邮电大学陈海峰教授团队宣告了一项震慑全球的效果：在8英寸硅片上成功制备出高质量的氧化镓外延片。这是全球初次完成大尺度氧化镓资料的打破，标志着我国在第四代半导体范畴迈出了要害一步。
陈海峰教授在承受媒体采访时回想道，氧化镓的研制曾面对多重技能壁垒。氧化镓的热导率仅为碳化硅的十分之一，散热问题一度成为“卡脖子”难题。团队经过优化硅基异质外延技能，结合自主规划的键合工艺，终究在散热与集成功率上找到了平衡点。“每一步都像在迷雾中探索，但看到8英寸晶圆下线的那一刻，一切艰苦都值了。”
氧化镓作为第四代半导体资料，具有超宽禁带（4.9eV）、高击穿场强（理论值8MV/cm）和低能量损耗等优势，功能远超第三代资料碳化硅和氮化镓。但是，大尺度单晶制备曾是全球难题。
短短一年内，我国完成了从2英寸到8英寸的“三级跳”，跑出了半导体资料的“我国速度”。
团队中心成员李博士泄漏，试验要害期曾接连三个月无休。一次键合工艺失利导致晶圆碎裂，咱们一度堕入低谷。“陈教授带着咱们复盘了上百组数据，终究发现是温度梯度操控误差了0.5%。”这种精雕细镂的精力，成为打破的中心动力。
1. 本钱优势：硅基集成可复用现有产线. 使用场景：高压功率器材、5G基站、新能源轿车等范畴将迎来革新；
陈海峰教授表明，下一步将攻关12英寸晶圆和散热优化技能。“咱们的方针是让氧化镓从试验室走向千家万户。”跟着科技部将氧化镓列入“十四五”要点专项，我国正加快构建从资料、设备到芯片的完好工业链。
这颗8英寸氧化镓单晶，不只凝结了我国科研人的才智与汗水，更标志着我国半导体工业从追赶到领跑的跨过。正如陈教授所言：“每一次技能打破，都是为国家科技自立自强添砖加瓦。”在全球半导体比赛中，我国正以立异为笔，书写新的传奇。
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